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Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
MZ-V9S4T0BW
Marca Samsung Modelo MZ-V9S4T0BW Capacidad - 4TB Interfaz - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe...
2 artículos
Ficha técnica
| Marca | Samsung |
| Conexión | PCIe |
| Tecnología Almacenamiento | SSD |
| Tamaño | M.2 2280 |
| Capacidad | 4 TB |
| Velocidad lectura secuencial | 7001-7500 MB/s |
| Velocidad escritura secuencial | 6001-6500 MB/s |
| Interfaz | PCIe Gen4 |
Más
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S4T0BW |
| Capacidad | - 4TB |
| Interfaz | - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Tamaño | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.050.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS |
| Características | - Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura - SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) - Soporte WWN - Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación - Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W - Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico - Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida - Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento - Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso - 80,15 x 22,15 x 2,38mm - Max. 9 g |
| Fecha de revisión | 17-10-2024 por RTY |
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